近期,TCL 華星自研銅酸項目獲得突破性進展, 解決了高銅離子濃度下安全性問題及蝕刻速率下降的關鍵技術瓶頸, 實現了銅酸極致壽命 8000ppm, 遠超業界高雙氧水一劑型體系 7000ppm 的上限。這一成果不僅有望進一步降低生產成本, 增強自身競爭力, 更展現出 TCL 華星在半導體顯示領域, 針對核心基礎技術及材料的自研技術實力。

近年來, 隨著“百年未有之大變局”的出現, 穩定產業鏈安全, 成為中國制造業重中之重的任務, 而核心材料的自主自研, 是穩定產業鏈安全, 增強企業、乃至行業競爭力的關鍵一環。作為半導體行業的領軍企業,TCL 華星面臨日益嚴峻的行業現狀, 開始積極轉變經營思路, 推進采購管理模式升級優化, 組織深度分析和分品類的結構降本, 提出并落實了多個關鍵材料山頭項目,“銅酸自混自研項目”便是其中之一。

正是基于對行業環境的洞察及企業自身所需,TCL 華星針對刻蝕電路用的銅酸, 這一成本較高的核心材料,TCL 華星開始了漫長的銅酸自研之路。

自 2016 年,TCL 華星便圍繞“配方體系建立, 配方精細化調整, 生產工藝開發, 檢測技術開發”四個關鍵節點, 進行了該基礎材料領域的能力構建, 相繼攻克了一系列蝕刻特性技術難題,2016 年完成了開發平臺、量產平臺搭建,2019 年實現了單點突破 M1 H#1 t2 單線量產, 在近兩年的刻苦鉆研之后,2020 年實現技術升級, 自研 H#2 實現深圳銅制程 M1 全線量產, 也因此成為了業內首個成功自研銅酸的面板企業。

階段性的勝利并未讓 TCL 華星的自研銅酸團隊安于現狀, 而是再次踏上精益求精的技術攻堅之路。通過對螯合劑和穩定劑的深入研究,TCL 華星的自研銅酸團隊相繼突破了高銅離子濃度下的安全性問題、蝕刻速率下降等關鍵技術瓶頸, 延壽路線取得巨大突破進展: 自研 H#6 配方突破高雙氧水體系 8000ppm 壽命上限。這是 TCL 華星的材料自研能力又站上了新的臺階, 不僅標志著 TCL 華星在銅酸領域技術實力的夯實與精進, 更為企業降本增效提供更大助力。

銅酸蝕刻示意圖

從無到有, 從有到優, 再到突破行業上限的領先成績, 這得益于 TCL 華星對研發的高度重視和投入, 以及多年來不斷夯實的強大人才團隊。TCL 華星自研銅酸項目團隊由經驗豐富的專家帶隊, 團隊內不乏博士及碩士人才, 雄厚的人才基礎及堅定目標持續深耕細作, 造就了這一支捷報頻傳的強大科研戰隊, 該項目在為企業降本方面帶來的效果也很顯著, 從 2020 年至今,TCL 華星的銅酸上的成本已節約數億人民幣。

從企業角度來看,TCL 華星銅酸自研項目的成功有利于材料配方基礎能力構建, 最終能定制化開發, 避免高階產品受制于人。從長期發展的維度看,TCL 華星通過創新模式實現上下游整合, 調整經營結構, 打造材料生態鏈, 更能進一步實現結構性降本, 有利于提升利潤。最后,TCL 華星通過此次項目實現自主配方知識產權, 大大增強了公司的技術競爭力與產業鏈話語權。

在經濟深度全球化的今天, 維護我國產業鏈、供應鏈安全刻不容緩, 尤其是在疫情持續蔓延的背景下, 必須在加強維護全球供應鏈穩定的基礎上, 重視產業鏈國產化, 實現技術自強。面臨供應鏈市場的不確定性,TCL 華星將持續重視產業生態建設, 保障國內產業鏈供應安全, 全面構筑 TCL 華星在全球半導體顯示領域的影響力, 持續為行業、為社會經濟發展做出更多貢獻!