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    消息稱長江存儲將直接挑戰 232 層 NAND,并于 2022 年底量產

    分類:數碼科技 瀏覽數:28 2022-06-16 07:32 IT之家 汪淼 編輯: 香香
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    IT之家 6 月 14 日消息,3D NAND 200 層堆棧以上賽局加速展開,存儲器大廠美光 (Micron) 此前提出業界首家 232 層堆棧 3D NAND 閃存將于 2022 年底前率先量產。

    據 DigiTimes 報道,近日市場傳言稱,長江存儲將跳過原定 192 層技術,直接挑戰 232 層 NAND,并于 2022 年底量產

    據報道,存儲器相關業者指出,如此一來,長江存儲可望趕上其他 NAND 大廠如三星電子、鎧俠等的腳步,并于 2023 年將逐步拓展 232 層 NAND 產能比重,為全球 NAND 產業競賽投下重磅炸彈。

    IT之家了解到,長江存儲已推出 128 層 3D NAND 閃存,此前有消息稱已向一些客戶交付了其自主研發的 192 層 3D NAND 閃存的樣品。

    此外,市場觀察人士認為,三星電子預計將在 2022 年晚些時候加入 200 層以上 3D NAND 閃存的競爭。

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